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उच्च गुणवत्ता के साथ स्टॉक इंटीग्रेटेड सर्किट BSC160N10NS3G आईसी चिप में नया और मूल

संक्षिप्त वर्णन:


वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

उत्पाद विशेषताएं

प्रकार विवरण
वर्ग असतत अर्धचालक उत्पाद

ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल

एमएफआर इन्फिनियॉन टेक्नोलॉजीज
शृंखला OptiMOS™
पैकेट टेप और रील (टीआर)

कट टेप (सीटी)

डिजी-रील®

उत्पाद की स्थिति सक्रिय
एफईटी प्रकार n- चैनल
तकनीकी MOSFET (धातु ऑक्साइड)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) 100 वी
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.8ए (टीए), 42ए (टीसी)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) 6V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस 16mOhm @ 33A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी 3.5V @ 33µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 25 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम) ±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1700 पीएफ @ 50 वी
एफईटी सुविधा -
विद्युत अपव्यय (अधिकतम) 60W (टीसी)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज पीजी-टीडीएसओएन-8-1
पैकेज/केस 8-पावरटीडीएफएन
आधार उत्पाद संख्या बीएससी160

दस्तावेज़ और मीडिया

संसाधन प्रकार जोड़ना
डाटा शीट बीएससी160एन10एनएस3 जी
अन्य संबंधित दस्तावेज़ भाग संख्या गाइड
विशेष रुप से प्रदर्शित उत्पाद डेटा प्रोसेसिंग सिस्टम
HTML डेटाशीट बीएससी160एन10एनएस3 जी
ईडीए मॉडल अल्ट्रा लाइब्रेरियन द्वारा BSC160N10NS3GATMA1
सिमुलेशन मॉडल MOSFET OptiMOS™ 100V एन-चैनल स्पाइस मॉडल

पर्यावरण एवं निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHS स्थिति ROHS3 अनुरूप
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (असीमित)
पहुंच स्थिति अप्रभावित पहुंचें
ईसीसीएन EAR99
एचटीएसयूएस 8541.29.0095

अतिरिक्त संसाधन

गुण विवरण
अन्य नामों बीएससी160एन10एनएस3 जी-एनडी

बीएससी160एन10एनएस3 जी

BSC160N10NS3 GINDKR-ND

SP000482382

BSC160N10NS3GATMA1DKR

BSC160N10NS3GATMA1CT

BSC160N10NS3 GINDKR

बीएससी160एन10एनएस3जी

BSC160N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND

BSC160N10NS3 GINTR-ND

BSC160N10NS3 GINCT-ND

BSC160N10NS3 GINCT

BSC160N10NS3GATMA1TR

BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND

मानक पैकेज 5,000

ट्रांजिस्टर एक अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग आमतौर पर एम्पलीफायरों या इलेक्ट्रॉनिक रूप से नियंत्रित स्विच में किया जाता है।ट्रांजिस्टर बुनियादी बिल्डिंग ब्लॉक हैं जो कंप्यूटर, मोबाइल फोन और अन्य सभी आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के संचालन को नियंत्रित करते हैं।

उनकी तेज़ प्रतिक्रिया गति और उच्च सटीकता के कारण, ट्रांजिस्टर का उपयोग प्रवर्धन, स्विचिंग, वोल्टेज नियामक, सिग्नल मॉड्यूलेशन और ऑसिलेटर सहित विभिन्न प्रकार के डिजिटल और एनालॉग कार्यों के लिए किया जा सकता है।ट्रांजिस्टर को व्यक्तिगत रूप से या बहुत छोटे क्षेत्र में पैक किया जा सकता है जिसमें एक एकीकृत सर्किट के हिस्से के रूप में 100 मिलियन या अधिक ट्रांजिस्टर रखे जा सकते हैं।

इलेक्ट्रॉन ट्यूब की तुलना में, ट्रांजिस्टर के कई फायदे हैं:

1.घटक की कोई खपत नहीं है

इससे कोई फर्क नहीं पड़ता कि ट्यूब कितनी अच्छी है, कैथोड परमाणुओं में बदलाव और दीर्घकालिक वायु रिसाव के कारण यह धीरे-धीरे खराब हो जाएगी।तकनीकी कारणों से, जब ट्रांजिस्टर पहली बार बनाए गए थे तो उनमें भी यही समस्या थी।सामग्रियों में प्रगति और कई पहलुओं में सुधार के साथ, ट्रांजिस्टर आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक ट्यूबों की तुलना में 100 से 1,000 गुना अधिक समय तक चलते हैं।

2. बहुत कम बिजली की खपत करें

यह एक इलेक्ट्रॉन ट्यूब का केवल दसवां हिस्सा या दसवां हिस्सा है।इसे इलेक्ट्रॉन ट्यूब की तरह मुक्त इलेक्ट्रॉन उत्पन्न करने के लिए फिलामेंट को गर्म करने की आवश्यकता नहीं होती है।एक ट्रांजिस्टर रेडियो को साल में छह महीने सुनने के लिए केवल कुछ सूखी बैटरियों की आवश्यकता होती है, जो ट्यूब रेडियो के लिए करना मुश्किल है।

3.पहले से गर्म करने की कोई जरूरत नहीं

इसे चालू करते ही काम करें.उदाहरण के लिए, एक ट्रांजिस्टर रेडियो चालू होते ही बंद हो जाता है, और एक ट्रांजिस्टर टेलीविजन चालू होते ही एक चित्र सेट कर देता है।वैक्यूम ट्यूब उपकरण ऐसा नहीं कर सकते।बूट के बाद आवाज सुनने के लिए कुछ देर रुकें, चित्र देखें।जाहिर है, सैन्य, माप, रिकॉर्डिंग आदि में ट्रांजिस्टर बहुत फायदेमंद हैं।

4.मजबूत और विश्वसनीय

इलेक्ट्रॉन ट्यूब से 100 गुना अधिक विश्वसनीय, आघात प्रतिरोध, कंपन प्रतिरोध, जो इलेक्ट्रॉन ट्यूब से अतुलनीय है।इसके अलावा, ट्रांजिस्टर का आकार इलेक्ट्रॉन ट्यूब के आकार का केवल दसवां से एक सौवां हिस्सा होता है, बहुत कम गर्मी रिलीज होती है, इसका उपयोग छोटे, जटिल, विश्वसनीय सर्किट डिजाइन करने के लिए किया जा सकता है।यद्यपि ट्रांजिस्टर की विनिर्माण प्रक्रिया सटीक है, प्रक्रिया सरल है, जो घटकों की स्थापना घनत्व में सुधार के लिए अनुकूल है।


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