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उत्पादों

LM46002AQPWPRQ1 पैकेज HTSSOP16 एकीकृत सर्किट आईसी चिप नए मूल स्पॉट इलेक्ट्रॉनिक्स घटक

संक्षिप्त वर्णन:


वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

उत्पाद विशेषताएं

प्रकार विवरण
वर्ग इंटीग्रेटेड सर्किट (आईसी)

विद्युत प्रबंधन (पीएमआईसी)

वोल्टेज रेगुलेटर - डीसी डीसी स्विचिंग रेगुलेटर

एमएफआर टेक्सस उपकरण
शृंखला ऑटोमोटिव, AEC-Q100, सिंपल स्विचर®
पैकेट टेप और रील (टीआर)

कट टेप (सीटी)

डिजी-रील®

SPQ 2000T&R
उत्पाद की स्थिति सक्रिय
समारोह त्यागपत्र देना
आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन सकारात्मक
टोपोलॉजी बक
उत्पादन का प्रकार एडजस्टेबल
आउटपुट की संख्या 1
वोल्टेज - इनपुट (न्यूनतम) 3.5V
वोल्टेज - इनपुट (अधिकतम) 60V
वोल्टेज - आउटपुट (न्यूनतम/निश्चित) 1V
वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम) 28वी
मौजूदा उत्पादन 2A
आवृत्ति - स्विचिंग 200kHz ~ 2.2MHz
सिंक्रोनस रेक्टिफायर हाँ
परिचालन तापमान -40°C ~ 125°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
पैकेज/केस 16-टीएसएसओपी (0.173", 4.40 मिमी चौड़ाई) एक्सपोज़्ड पैड
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज 16-HTSSOP
आधार उत्पाद संख्या एलएम46002

 

चिप उत्पादन प्रक्रिया

संपूर्ण चिप निर्माण प्रक्रिया में चिप डिजाइन, वेफर उत्पादन, चिप पैकेजिंग और चिप परीक्षण शामिल हैं, जिनमें से वेफर उत्पादन प्रक्रिया विशेष रूप से जटिल है।

पहला चरण चिप डिज़ाइन है, जो डिज़ाइन आवश्यकताओं पर आधारित है, जैसे कार्यात्मक उद्देश्य, विनिर्देश, सर्किट लेआउट, वायर वाइंडिंग और विवरण इत्यादि। "डिज़ाइन चित्र" उत्पन्न होते हैं;फोटोमास्क चिप नियमों के अनुसार पहले से तैयार किए जाते हैं।

②.वेफर उत्पादन.

1. सिलिकॉन वेफर्स को वेफर स्लाइसर का उपयोग करके आवश्यक मोटाई में काटा जाता है।वेफर जितना पतला होगा, उत्पादन की लागत उतनी ही कम होगी, लेकिन प्रक्रिया उतनी ही अधिक मांग वाली होगी।

2. वेफर की सतह को फोटोरेसिस्ट फिल्म से कोटिंग करना, जिससे ऑक्सीकरण और तापमान के प्रति वेफर के प्रतिरोध में सुधार होता है।

3. वेफर फोटोलिथोग्राफी विकास और नक़्क़ाशी में ऐसे रसायनों का उपयोग किया जाता है जो यूवी प्रकाश के प्रति संवेदनशील होते हैं, यानी यूवी प्रकाश के संपर्क में आने पर वे नरम हो जाते हैं।मास्क की स्थिति को नियंत्रित करके चिप का आकार प्राप्त किया जा सकता है।सिलिकॉन वेफर पर एक फोटोरेसिस्ट लगाया जाता है ताकि यूवी प्रकाश के संपर्क में आने पर यह घुल जाए।यह मास्क के पहले हिस्से को लगाकर किया जाता है ताकि यूवी प्रकाश के संपर्क में आने वाला हिस्सा घुल जाए और इस घुले हुए हिस्से को फिर एक विलायक से धोया जा सके।फिर इस घुले हुए हिस्से को विलायक से धोया जा सकता है।फिर शेष भाग को फोटोरेसिस्ट का आकार दिया जाता है, जिससे हमें वांछित सिलिका परत मिलती है।

4. आयनों का इंजेक्शन.नक़्क़ाशी मशीन का उपयोग करके, एन और पी जाल को नंगे सिलिकॉन में उकेरा जाता है, और आयनों को पीएन जंक्शन (लॉजिक गेट) बनाने के लिए इंजेक्ट किया जाता है;फिर ऊपरी धातु की परत को रासायनिक और भौतिक मौसम वर्षा द्वारा सर्किट से जोड़ा जाता है।

5. वेफर परीक्षण उपरोक्त प्रक्रियाओं के बाद, वेफर पर पासे की एक जाली बनती है।प्रत्येक डाई की विद्युत विशेषताओं का परीक्षण पिन परीक्षण का उपयोग करके किया जाता है।

③.चिप पैकेजिंग

तैयार वेफर को स्थिर किया जाता है, पिन से बांधा जाता है और मांग के अनुसार विभिन्न पैकेजों में बनाया जाता है।उदाहरण: डीआईपी, क्यूएफपी, पीएलसीसी, क्यूएफएन, इत्यादि।यह मुख्य रूप से उपयोगकर्ता की एप्लिकेशन आदतों, एप्लिकेशन वातावरण, बाज़ार की स्थिति और अन्य परिधीय कारकों द्वारा निर्धारित होता है।

④.चिप परीक्षण

चिप निर्माण की अंतिम प्रक्रिया तैयार उत्पाद परीक्षण है, जिसे सामान्य परीक्षण और विशेष परीक्षण में विभाजित किया जा सकता है, पूर्व में विभिन्न वातावरणों में पैकेजिंग के बाद चिप की विद्युत विशेषताओं का परीक्षण करना है, जैसे बिजली की खपत, संचालन गति, वोल्टेज प्रतिरोध, आदि। परीक्षण के बाद, चिप्स को उनकी विद्युत विशेषताओं के अनुसार विभिन्न ग्रेड में वर्गीकृत किया जाता है।विशेष परीक्षण ग्राहक की विशेष आवश्यकताओं के तकनीकी मापदंडों पर आधारित होता है, और समान विशिष्टताओं और किस्मों के कुछ चिप्स का परीक्षण यह देखने के लिए किया जाता है कि क्या वे ग्राहक की विशेष जरूरतों को पूरा कर सकते हैं, यह तय करने के लिए कि ग्राहक के लिए विशेष चिप्स डिजाइन किए जाने चाहिए या नहीं।सामान्य परीक्षण पास करने वाले उत्पादों पर विशिष्टताओं, मॉडल नंबरों और फ़ैक्टरी तिथियों के साथ लेबल लगाया जाता है और फ़ैक्टरी छोड़ने से पहले पैक किया जाता है।जो चिप्स परीक्षण में उत्तीर्ण नहीं होते हैं उन्हें उनके द्वारा हासिल किए गए मापदंडों के आधार पर डाउनग्रेड या अस्वीकृत के रूप में वर्गीकृत किया जाता है।


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