IPD068P03L3G नए मूल इलेक्ट्रॉनिक घटक IC चिप MCU BOM सेवा स्टॉक में IPD068P03L3G

संक्षिप्त वर्णन:

वास्तु की बारीकी

उत्पाद टैग

उत्पाद विशेषताएं

प्रकार	विवरण
वर्ग	असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल
एमएफआर	इन्फिनियॉन टेक्नोलॉजीज
शृंखला	OptiMOS™
पैकेट	टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी) डिजी-रील®
उत्पाद की स्थिति	सक्रिय
एफईटी प्रकार	पी-चैनल
तकनीकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)	30 वी
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	70ए (टीसी)
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस	6.8mOhm @ 70A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी	2V @ 150μA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	91 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±20V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	7720 पीएफ @ 15 वी
एफईटी सुविधा	-
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)	100W (टीसी)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	माउंट सतह
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	पीजी-TO252-3
पैकेज/केस	टीओ-252-3, डीपैक (2 लीड्स + टैब), एससी-63
आधार उत्पाद संख्या	IPD068

दस्तावेज़ और मीडिया

संसाधन प्रकार	जोड़ना
डाटा शीट	IPD068P03L3 जी
अन्य संबंधित दस्तावेज़	भाग संख्या गाइड
विशेष रुप से प्रदर्शित उत्पाद	डेटा प्रोसेसिंग सिस्टम
HTML डेटाशीट	IPD068P03L3 जी
ईडीए मॉडल	अल्ट्रा लाइब्रेरियन द्वारा IPD068P03L3GATMA1

पर्यावरण एवं निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHS स्थिति	ROHS3 अनुरूप
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (असीमित)
पहुंच स्थिति	अप्रभावित पहुंचें
ईसीसीएन	EAR99
एचटीएसयूएस	8541.29.0095

अतिरिक्त संसाधन

गुण

विवरण

अन्य नामों

IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-एनडी

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

मानक पैकेज

2,500

ट्रांजिस्टर

ट्रांजिस्टर एक हैअर्धचालक उपकरणअभ्यस्तबढ़ानायाबदलनाविद्युत संकेत औरशक्ति.ट्रांजिस्टर आधुनिक के बुनियादी निर्माण खंडों में से एक हैइलेक्ट्रानिक्स.[1]यह इससे बना हैअर्धचालक सामग्री, आमतौर पर कम से कम तीन के साथटर्मिनलइलेक्ट्रॉनिक सर्किट से कनेक्शन के लिए.एवोल्टेजयामौजूदाट्रांजिस्टर के टर्मिनलों की एक जोड़ी पर लागू किया गया टर्मिनलों की दूसरी जोड़ी के माध्यम से करंट को नियंत्रित करता है।क्योंकि नियंत्रित (आउटपुट) शक्ति नियंत्रित (इनपुट) शक्ति से अधिक हो सकती है, एक ट्रांजिस्टर एक सिग्नल को बढ़ा सकता है।कुछ ट्रांजिस्टर अलग-अलग पैक किए जाते हैं, लेकिन कई अन्य इसमें अंतर्निहित पाए जाते हैंएकीकृत सर्किट.

ऑस्ट्रो-हंगेरियन भौतिक विज्ञानी जूलियस एडगर लिलिएनफेल्डए की अवधारणा का प्रस्ताव रखाफील्ड इफ़ेक्ट ट्रांजिस्टर1926 में, लेकिन उस समय वास्तव में एक कार्यशील उपकरण का निर्माण करना संभव नहीं था।[2]बनाया जाने वाला पहला कार्यशील उपकरण थाबिंदु-संपर्क ट्रांजिस्टर1947 में अमेरिकी भौतिकविदों द्वारा आविष्कार किया गयाजॉन बार्डीनऔरवाल्टर ब्रैटनके तहत काम करते हुएविलियम शॉक्लेपरबेल लैब्स.तीनों ने 1956 साझा कियाभौतिकी में नोबेल पुरस्कारउनकी उपलब्धि के लिए.[3]ट्रांजिस्टर का सबसे व्यापक रूप से उपयोग किया जाने वाला प्रकार हैधातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर(MOSFET), जिसका आविष्कार किया गया थामोहम्मद अटाल्लाऔरडावोन काहंग1959 में बेल लैब्स में।[4][5][6]ट्रांजिस्टर ने इलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में क्रांति ला दी और छोटे तथा सस्ते ट्रांजिस्टर का मार्ग प्रशस्त कियारेडियो,कैलकुलेटर, औरकंप्यूटर, अन्य बातों के अलावा।

अधिकांश ट्रांजिस्टर अत्यंत शुद्ध से बनाये जाते हैंसिलिकॉन, और कुछ सेजर्मेनियम, लेकिन कभी-कभी कुछ अन्य अर्धचालक सामग्रियों का भी उपयोग किया जाता है।एक ट्रांजिस्टर में क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर में केवल एक प्रकार का चार्ज वाहक हो सकता है, या दो प्रकार के चार्ज वाहक हो सकते हैंद्विध्रुवी जंक्शन ट्रांजिस्टरउपकरण।की तुलना मेंवेक्यूम - ट्यूब, ट्रांजिस्टर आम तौर पर छोटे होते हैं और उन्हें संचालित करने के लिए कम बिजली की आवश्यकता होती है।कुछ वैक्यूम ट्यूबों में बहुत उच्च ऑपरेटिंग आवृत्तियों या उच्च ऑपरेटिंग वोल्टेज पर ट्रांजिस्टर की तुलना में फायदे होते हैं।कई प्रकार के ट्रांजिस्टर कई निर्माताओं द्वारा मानकीकृत विशिष्टताओं के अनुसार बनाए जाते हैं।

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