(सर्वोत्तम मूल्य से संपर्क करें) IRLML9303TRPBF इलेक्ट्रॉनिक घटक पार्ट्स इंटीग्रेटेड सर्किट MCU IC चिप्स IRLML9303TRPBF
उत्पाद विशेषताएं
| प्रकार | विवरण |
| वर्ग | असतत अर्धचालक उत्पाद |
| एमएफआर | इन्फिनियॉन टेक्नोलॉजीज |
| शृंखला | हेक्सफेट® |
| पैकेट | टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी) डिजी-रील® |
| उत्पाद की स्थिति | सक्रिय |
| एफईटी प्रकार | पी-चैनल |
| तकनीकी | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 30 वी |
| वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 2.3ए (टीए) |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 4.5V, 10V |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 165mOhm @ 2.3A, 10V |
| वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी | 2.4V @ 10µA |
| गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 2 एनसी @ 4.5 वी |
| वीजीएस (अधिकतम) | ±20V |
| इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 160 पीएफ @ 25 वी |
| एफईटी सुविधा | - |
| विद्युत अपव्यय (अधिकतम) | 1.25W (टा) |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (टीजे) |
| माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
| आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | माइक्रो3™/एसओटी-23 |
| पैकेज/केस | टीओ-236-3, एससी-59, एसओटी-23-3 |
| आधार उत्पाद संख्या | आईआरएलएमएल9303 |
दस्तावेज़ और मीडिया
| संसाधन प्रकार | जोड़ना |
| डाटा शीट | IRLML9303TRPbF |
| अन्य संबंधित दस्तावेज़ | भाग संख्या गाइड |
| उत्पाद प्रशिक्षण मॉड्यूल | उच्च वोल्टेज एकीकृत सर्किट (एचवीआईसी गेट ड्राइवर) |
| डिज़ाइन संसाधन | IRLML9303TRPBF कृपाण मॉडल |
| विशेष रुप से प्रदर्शित उत्पाद | डेटा प्रोसेसिंग सिस्टम |
| HTML डेटाशीट | IRLML9303TRPbF |
| ईडीए मॉडल | अल्ट्रा लाइब्रेरियन द्वारा IRLML9303TRPBF |
| सिमुलेशन मॉडल | IRLML9303TRPBF स्पाइस मॉडल |
पर्यावरण एवं निर्यात वर्गीकरण
| गुण | विवरण |
| RoHS स्थिति | ROHS3 अनुरूप |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (असीमित) |
| पहुंच स्थिति | अप्रभावित पहुंचें |
| ईसीसीएन | EAR99 |
| एचटीएसयूएस | 8541.29.0095 |
अतिरिक्त संसाधन
| गुण | विवरण |
| अन्य नामों | IRLML9303TRPBFDKR IRLML9303TRPBFCT IRLML9303TRPBF-एनडी SP001558866 IRLML9303TRPBFTR |
| मानक पैकेज | 3,000 |
ट्रांजिस्टर एक अर्धचालक उपकरण है जिसका उपयोग आमतौर पर एम्पलीफायरों या इलेक्ट्रॉनिक रूप से नियंत्रित स्विच में किया जाता है।ट्रांजिस्टर बुनियादी बिल्डिंग ब्लॉक हैं जो कंप्यूटर, मोबाइल फोन और अन्य सभी आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट के संचालन को नियंत्रित करते हैं।
उनकी तेज़ प्रतिक्रिया गति और उच्च सटीकता के कारण, ट्रांजिस्टर का उपयोग प्रवर्धन, स्विचिंग, वोल्टेज नियामक, सिग्नल मॉड्यूलेशन और ऑसिलेटर सहित विभिन्न प्रकार के डिजिटल और एनालॉग कार्यों के लिए किया जा सकता है।ट्रांजिस्टर को व्यक्तिगत रूप से या बहुत छोटे क्षेत्र में पैक किया जा सकता है जिसमें एक एकीकृत सर्किट के हिस्से के रूप में 100 मिलियन या अधिक ट्रांजिस्टर रखे जा सकते हैं।
इलेक्ट्रॉन ट्यूब की तुलना में, ट्रांजिस्टर के कई फायदे हैं:
1.घटक की कोई खपत नहीं है
इससे कोई फर्क नहीं पड़ता कि ट्यूब कितनी अच्छी है, कैथोड परमाणुओं में बदलाव और दीर्घकालिक वायु रिसाव के कारण यह धीरे-धीरे खराब हो जाएगी।तकनीकी कारणों से, जब ट्रांजिस्टर पहली बार बनाए गए थे तो उनमें भी यही समस्या थी।सामग्रियों में प्रगति और कई पहलुओं में सुधार के साथ, ट्रांजिस्टर आमतौर पर इलेक्ट्रॉनिक ट्यूबों की तुलना में 100 से 1,000 गुना अधिक समय तक चलते हैं।
2. बहुत कम बिजली की खपत करें
यह एक इलेक्ट्रॉन ट्यूब का केवल दसवां हिस्सा या दसवां हिस्सा है।इसे इलेक्ट्रॉन ट्यूब की तरह मुक्त इलेक्ट्रॉन उत्पन्न करने के लिए फिलामेंट को गर्म करने की आवश्यकता नहीं होती है।एक ट्रांजिस्टर रेडियो को साल में छह महीने सुनने के लिए केवल कुछ सूखी बैटरियों की आवश्यकता होती है, जो ट्यूब रेडियो के लिए करना मुश्किल है।
3.पहले से गर्म करने की कोई जरूरत नहीं
इसे चालू करते ही काम करें.उदाहरण के लिए, एक ट्रांजिस्टर रेडियो चालू होते ही बंद हो जाता है, और एक ट्रांजिस्टर टेलीविजन चालू होते ही एक चित्र सेट कर देता है।वैक्यूम ट्यूब उपकरण ऐसा नहीं कर सकते।बूट के बाद आवाज सुनने के लिए कुछ देर रुकें, चित्र देखें।जाहिर है, सैन्य, माप, रिकॉर्डिंग आदि में ट्रांजिस्टर बहुत फायदेमंद हैं।
4.मजबूत और विश्वसनीय
इलेक्ट्रॉन ट्यूब से 100 गुना अधिक विश्वसनीय, आघात प्रतिरोध, कंपन प्रतिरोध, जो इलेक्ट्रॉन ट्यूब से अतुलनीय है।इसके अलावा, ट्रांजिस्टर का आकार इलेक्ट्रॉन ट्यूब के आकार का केवल दसवां से एक सौवां हिस्सा होता है, बहुत कम गर्मी रिलीज होती है, इसका उपयोग छोटे, जटिल, विश्वसनीय सर्किट डिजाइन करने के लिए किया जा सकता है।यद्यपि ट्रांजिस्टर की विनिर्माण प्रक्रिया सटीक है, प्रक्रिया सरल है, जो घटकों की स्थापना घनत्व में सुधार के लिए अनुकूल है।
