SN74CB3Q3245RGYR 100% नया और मूल डीसी टू डीसी कनवर्टर और स्विचिंग रेगुलेटर चिप
उत्पाद विशेषताएं
| प्रकार | उदाहरण देकर स्पष्ट करना |
| वर्ग | सिग्नल स्विचर, मल्टीप्लेक्सर, डिकोडर |
| उत्पादक | टेक्सस उपकरण |
| शृंखला | 74सीबी |
| लपेटना | टेप और रोलिंग पैकेज (टीआर) इंसुलेटिंग टेप पैकेज (सीटी) डिजी-रील® |
| उत्पाद की स्थिति | सक्रिय |
| प्रकार | बस स्विच |
| सर्किट | 8 x 1：1 |
| स्वतंत्र सर्किट | 1 |
| करंट - आउटपुट उच्च, निम्न | - |
| वोल्टेज आपूर्ति स्रोत | एकल विद्युत आपूर्ति |
| वोल्टेज - बिजली की आपूर्ति | 2.3V ~ 3.6V |
| परिचालन तापमान | -40°C ~ 85°C |
| स्थापना प्रकार | सतह चिपकने वाला प्रकार |
| पैकेज/आवास | 20-वीएफक्यूएफएन उजागर पैड |
| विक्रेता घटक एनकैप्सुलेशन | 20-वीक्यूएफएन (3.5x4.5) |
| उत्पाद मास्टर नंबर | 74CB3Q3245 |
उत्पाद परिचय
SN74CB3Q3245 एक उच्च-बैंडविड्थ FET बस स्विच है जो पास ट्रांजिस्टर के गेट वोल्टेज को बढ़ाने के लिए चार्ज पंप का उपयोग करता है, जो कम और सपाट ऑन-स्टेट प्रतिरोध (रॉन) प्रदान करता है।कम और सपाट ऑन-स्टेट प्रतिरोध न्यूनतम प्रसार विलंब की अनुमति देता है और डेटा इनपुट/आउटपुट (आई/ओ) पोर्ट पर रेल-टू-रेल स्विचिंग का समर्थन करता है।डेटा बस पर कैपेसिटिव लोडिंग और सिग्नल विरूपण को कम करने के लिए डिवाइस में कम डेटा I/O कैपेसिटेंस की सुविधा भी है।विशेष रूप से उच्च-बैंडविड्थ अनुप्रयोगों का समर्थन करने के लिए डिज़ाइन किया गया, SN74CB3Q3245 एक अनुकूलित इंटरफ़ेस समाधान प्रदान करता है जो ब्रॉडबैंड संचार, नेटवर्किंग और डेटा-गहन कंप्यूटिंग सिस्टम के लिए आदर्श है।
SN74CB3Q3245 को एकल आउटपुट-सक्षम (OE\) इनपुट के साथ 8-बिट बस स्विच के रूप में व्यवस्थित किया गया है।जब OE\ कम होता है, तो बस स्विच चालू होता है और A पोर्ट B पोर्ट से जुड़ा होता है, जिससे पोर्ट के बीच द्विदिशात्मक डेटा प्रवाह की अनुमति मिलती है।जब OE\ उच्च होता है, तो बस स्विच बंद हो जाता है और A और B पोर्ट के बीच एक उच्च-प्रतिबाधा स्थिति मौजूद होती है।
यह डिवाइस Ioff का उपयोग करके आंशिक-पावर-डाउन अनुप्रयोगों के लिए पूरी तरह से निर्दिष्ट है।Ioff सर्किटरी डिवाइस के बंद होने पर उसके माध्यम से वर्तमान बैकफ्लो को नुकसान पहुंचाने से रोकती है।बिजली बंद होने के दौरान डिवाइस में अलगाव होता है।
पावर अप या पावर डाउन के दौरान उच्च-प्रतिबाधा स्थिति सुनिश्चित करने के लिए, OE\ को एक पुलअप अवरोधक के माध्यम से VCC से बांधा जाना चाहिए;अवरोधक का न्यूनतम मान चालक की धारा-डूबने की क्षमता से निर्धारित होता है।
उत्पाद की विशेषताएँ
- उच्च-बैंडविड्थ डेटा पथ (500 मेगाहर्ट्ज तक↑)
- IDTQS3VH384 डिवाइस के समतुल्य
- डिवाइस पावर्ड-अप या पावर्ड-डाउन के साथ 5-वी सहनशील I/Os
- ऑपरेटिंग रेंज से अधिक कम और सपाट ऑन-स्टेट प्रतिरोध (रॉन) विशेषताएँ (रॉन = 4Ω विशिष्ट)
- डेटा I/O पोर्ट पर रेल-टू-रेल स्विचिंग, लगभग शून्य प्रसार विलंब के साथ, द्वि-दिशात्मक डेटा प्रवाहकम इनपुट/आउटपुट कैपेसिटेंस लोडिंग और सिग्नल विरूपण को कम करता है (Cio(OFF) = 3.5 pF विशिष्ट)
- 3.3-वी वीसीसी के साथ 0- से 5-वी स्विचिंग
- 2.5-वी वीसीसी के साथ 0- से 3.3-वी स्विचिंग
- तेज़ स्विचिंग आवृत्ति (एफओई\ = 20 मेगाहर्ट्ज अधिकतम)
- डेटा और नियंत्रण इनपुट अंडरशूट क्लैंप डायोड प्रदान करते हैं
- कम बिजली की खपत (आईसीसी = 1 एमए विशिष्ट)
- वीसीसी ऑपरेटिंग रेंज 2.3 वी से 3.6 वी तक
- डेटा I/Os समर्थन 0 से 5-V सिग्नलिंग स्तर (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, 5-V)
- नियंत्रण इनपुट टीटीएल या 5-वी/3.3-वी सीएमओएस आउटपुट द्वारा संचालित किया जा सकता है
- Ioff आंशिक-पावर-डाउन मोड ऑपरेशन का समर्थन करता है
- लैच-अप प्रदर्शन जेईएसडी 78, कक्षा II प्रति 100 एमए से अधिक है
- जेईएसडी 22 के अनुसार परीक्षण किया गया ईएसडी प्रदर्शन डिजिटल और एनालॉग दोनों अनुप्रयोगों का समर्थन करता है: पीसीआई इंटरफ़ेस, डिफरेंशियल सिग्नल इंटरफ़ेस, मेमोरी इंटरलीविंग, बस अलगाव, कम-विरूपण सिग्नल गेटिंग
- 2000-वी मानव-शरीर मॉडल (ए114-बी, कक्षा II)
- 1000-V चार्ज्ड-डिवाइस मॉडल (C101)
उत्पाद लाभ
- थर्मल प्रबंधन और ओवरवॉल्टेज संरक्षण
बैटरी चार्जर डिजाइनरों के लिए थर्मल प्रबंधन एक और बड़ी चुनौती है।प्रत्येक चार्जर चिप में गर्मी अपव्यय के कारण चार्जिंग प्रक्रिया के दौरान वोल्टेज में गिरावट का अनुभव होता है।बैटरी क्षति या सिस्टम शटडाउन से बचने के लिए, अधिकांश चार्जर गर्मी के निर्माण को प्रबंधित करने के लिए कुछ प्रकार के नियंत्रण तंत्र को शामिल करते हैं।नए उपकरण लगातार डाई तापमान की निगरानी करने और परिवेश के तापमान में परिवर्तन के आनुपातिक दर पर गतिशील रूप से या गणना द्वारा चार्ज वर्तमान को समायोजित करने के लिए अधिक परिष्कृत फीडबैक तकनीकों का उपयोग करते हैं।यह अंतर्निहित इंटेलिजेंस वर्तमान चार्जर चिप को धीरे-धीरे चार्जिंग करंट को कम करने की अनुमति देता है जब तक कि थर्मल संतुलन नहीं पहुंच जाता है और डाई तापमान बढ़ना बंद नहीं हो जाता है।यह तकनीक चार्जर को सिस्टम को बंद किए बिना अधिकतम संभव करंट पर बैटरी को लगातार चार्ज करने की अनुमति देती है, जिससे बैटरी चार्जिंग का समय कम हो जाता है।आज अधिकांश नए उपकरणों में आमतौर पर एक ओवरवॉल्टेज सुरक्षा तंत्र भी जोड़ा जाएगा।
चार्जर BQ25616JRTWR बैटरी चार्जिंग और सिस्टम संचालन के लिए विभिन्न सुरक्षा सुविधाएँ प्रदान करता है, जिसमें बैटरी नकारात्मक तापमान गुणांक थर्मिस्टर मॉनिटरिंग, चार्जिंग सुरक्षा टाइमर और ओवरवॉल्टेज और ओवर-वर्तमान सुरक्षा शामिल है।जब जंक्शन का तापमान 110°C से अधिक हो जाता है तो थर्मल विनियमन चार्ज करंट को कम कर देता है।STAT आउटपुट चार्जिंग स्थिति और किसी भी खराबी की स्थिति की रिपोर्ट करता है।
अनुप्रयोग परिदृश्य
बैटरी चार्जर चिप एक प्रकार की पावर प्रबंधन चिप से संबंधित है, एप्लिकेशन रेंज बहुत विस्तृत है।संपूर्ण मशीन के प्रदर्शन को बेहतर बनाने के लिए पावर प्रबंधन चिप्स का विकास महत्वपूर्ण है, पावर प्रबंधन चिप्स का चुनाव सीधे सिस्टम की जरूरतों से संबंधित है, जबकि डिजिटल पावर प्रबंधन चिप्स के विकास को अभी भी लागत बाधा को पार करने की आवश्यकता है।
BQ25616/616J सिंगल सेल ली-आयन और ली-पॉलीमर बैटरी के लिए एक अत्यधिक एकीकृत 3-ए स्विच-मोड बैटरी चार्ज प्रबंधन और सिस्टम पावर पथ प्रबंधन उपकरण है।समाधान सिस्टम और के बीच इनपुट रिवर्स-ब्लॉकिंग FET (RBFET, Q1), हाई-साइड स्विचिंग FET (HSFET, Q2), लो-साइड स्विचिंग FET (LSFET, Q3), और बैटरी FET (BATFET, Q4) के साथ अत्यधिक एकीकृत है। बैटरी।कम प्रतिबाधा पावर पथ स्विच-मोड ऑपरेशन दक्षता को अनुकूलित करता है, बैटरी चार्जिंग समय को कम करता है और डिस्चार्जिंग चरण के दौरान बैटरी रन टाइम को बढ़ाता है।
BQ25616/616J ली-आयन और ली-पॉलीमर बैटरी के लिए एक अत्यधिक एकीकृत 3-ए स्विच-मोड बैटरी चार्ज प्रबंधन और सिस्टम पावर पथ प्रबंधन उपकरण है।इसमें स्पीकर, औद्योगिक और चिकित्सा पोर्टेबल उपकरणों सहित अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उच्च इनपुट वोल्टेज समर्थन के साथ फास्ट चार्जिंग की सुविधा है।इसका कम प्रतिबाधा पावर पथ स्विच-मोड ऑपरेशन दक्षता को अनुकूलित करता है, बैटरी चार्जिंग समय को कम करता है, और डिस्चार्जिंग चरण के दौरान बैटरी रन टाइम को बढ़ाता है।इसका इनपुट वोल्टेज और करंट रेगुलेशन बैटरी को अधिकतम चार्जिंग पावर प्रदान करता है।
समाधान सिस्टम और के बीच इनपुट रिवर्स-ब्लॉकिंग FET (RBFET, Q1), हाई-साइड स्विचिंग FET (HSFET, Q2), लो-साइड स्विचिंग FET (LSFET, Q3), और बैटरी FET (BATFET, Q4) के साथ अत्यधिक एकीकृत है। बैटरी।यह सरलीकृत सिस्टम डिज़ाइन के लिए हाई-साइड गेट ड्राइव के लिए बूटस्ट्रैप डायोड को भी एकीकृत करता है।हार्डवेयर सेटिंग और स्थिति रिपोर्ट चार्जिंग समाधान स्थापित करने के लिए आसान कॉन्फ़िगरेशन प्रदान करती है।
